Русский
Русский
English
Статистика
Реклама

Графен

Умная одежда устройство модуляции температуры на основе графена

24.06.2020 10:13:26 | Автор: admin


У природы нет плохой погоды, как поется в знаменитой песне из кинофильма Служебный роман. Однако далеко не все готовы согласиться с этим утверждением. Кому-то нравится холод, кто-то предпочитает жару, кому-то все равно. Я же отношусь к тем людям, которые будут жаловаться и на жару, и на холод, нам подавай комфортные +20 C. К сожалению, не всегда и не у всех любителей нейтрального климата есть возможность жить в регионах, где он есть. Сейчас лето в самом разгаре, удушающая жара лишь изредка прерывается кратковременными грозами, которые не особо помогают. Если природа не готова идти нам навстречу, значит стоит делать что-то самим. Сегодня мы познакомимся с исследованием, в котором ученые из Манчестерского университета (Великобритания) разработали умную адаптивную ткань, способную снижать температуру тела человека ее носящего в жаркие дни. Что легло в основу умной ткани, как протекал процесс разработки, и какие дополнительные свойства и варианты применения имеются у этого изобретения? Ответы на эти вопросы мы найдем в докладе ученых. Поехали.

Основа исследования


Прежде, чем рассказать нам о своем творении, ученые отмечают, что прогресс в области пользовательской электроники за последние годы идет семимильными шагами. Буквально каждый день появляется что-то новенькое и необычное. Тем не менее, существует ряд ограничений, которые мешают тем или иным разработкам перейти от стадии лабораторных тестов к стадии массового производства. В аспекте производства умных тканей основной проблемой является сложность интеграции электронных / оптических материалов внутрь волокон ткани. Самый простой вариант в носимой электронике это создание отдельных гаджетов (браслеты, часы и т.д.), которые не требуют внедрения в другую систему (в данном случае, ткань), но спектр возможностей этих устройств будет ограничен.

По словам ученых, чтобы достичь вразумительных результатов в сопряжении электроники и ткани, необходимо либо изменить технологию производства ткани, либо использовать нестандартные материалы для электронной части носимого устройства.

Одним из таких материалов является двумерный графен. Однако в предыдущих попытках его использовать ученые полагались больше на его электропроводность. В данном же труде было сделано ударение на оптическую составляющую, т.е. была предложена идея использовать графен в качестве оптической платформы.

Тепловое излучение от многослойного графена может модулироваться электрически через интеркалирование* ионов.
Интеркаляция* обратимое внедрение молекулы или группы молекул между другими молекулами или группами молекул.
В данном исследовании ученые представляют нашему вниманию технологию оптического текстиля, основанную на интеграции в текстиль динамических инфракрасных устройств на базе электрически перестраиваемого графена, образованного методом химического осаждения из паровой фазы (ХОПФ).

Результаты исследования


Устройства состоят из объединенных слоев инфракрасно прозрачного полимерного слоя, многослойного графена, выращенного с использованием метода ХОПФ, слоя тканевого разделителя и проводящей ткани (схема устройства на ).


Изображение 1

Изготовление начинается с выращивания многослойных графеновых пленок на никелевой фольге. Тонкая полиэфирная (PE) пленка, которая функционирует как прозрачный для инфракрасного излучения защитный слой, ламинируется на многослойный графен перед травлением Ni-фольги. Графен на полиэфирном листе прикрепляется к ткани с помощью термоплавкого клея.

Одним из важных моментов данной разработки является удобство использования и практичность, потому необходимо было удостовериться в хорошей адгезии между графеном и подложкой (тканью). Это было сделано посредством нескольких циклов стирки и посредством испытаний на механическое сжатие.

Далее на задний электрод (проводящая ткань) был нанесен ионный жидкий электролит (BMIMPF6), который впоследствии диффундировал в текстильную подложку. Текстиль действует как разделитель и ионопроводящий слой, обеспечивая ионное движение, когда разность напряжений приложена к графену и заднему электроду.

На 1b показаны примеры изготовленных устройств на натуральных (хлопок) и синтетических текстильных материалах (полиэфир).

Электрохимическая стабильность заднего электрода играет решающую роль в долговременной стабильности устройства. В качестве основы для заднего электрода тестировались разные материалы: проводящий текстиль на основе серебра, сетка из нержавеющей стали, золотое напыление, графен и восстановленный оксид графена.

Массив задних электродов и проводку на текстиле изготовили с помощью фотолитографии с последующей металлизацией и процессом отрыва*.
Отрыв* в технологии микроструктурирования представляет собой способ создания структур целевого материала на поверхности подложки с использованием жертвенного материала (например, фоторезиста).
Полученные пиксельные электроды позволяют определять динамические инфракрасные структуры на непрерывном графеновом слое с помощью выборочной интеркаляции.

Принцип работы устройств основан на обратимой интеркаляции ионов в графеновые слои и модулировании его электрических и оптических свойств. При 0 В многослойный графен имеет высокое инфракрасное поглощение, что приводит к высокой излучательной способности, раскрывая фактическую температуру устройства ().


Изображение 2

При подаче достаточной разности напряжений (> 2.5 В) ионная жидкость интеркалирует в слои графена, увеличивая оптическую проводимость и подавляя излучательную способность, тем самым скрывая фактическую температуру устройства. Термографы устройства записывались с помощью длинноволновой инфракрасной камеры, которая визуализирует изображения по закону Стефана-Больцмана:
P = T4
где P количество падающего теплового излучения на матрице болометров*; излучательная способность поверхности; постоянная Стефана-Больцмана; T температура поверхности в Кельвинах.
Болометр* тепловой приемник излучения (преобразует энергию поглощенного электромагнитного излучения в тепловую).
Текстильные устройства находясь непосредственно в тепловом контакте с источниками тепла, такими как тело человека, для предотвращения ложного экранирования температуры источника. Кроме того, графен функционирует как слой с высокой теплопроводностью, который удваивает температуропроводность в плоскости текстиля, улучшая теплопроводность от источника к поверхности.

Временной отклик устройств был получен путем записи видео тепловизором, чтобы получить изменение видимой температуры поверхности (2b).


Динамическое изменение инфракрасного излучения на хлопковом устройстве.

Полная интеркаляция (подавление излучательной способности) занимает ~5 с, когда ток устройства не ограничен. Стоит отметить, что эти измерения проводились в лабораторных условиях (21 C), ограничивающих минимальную кажущуюся температуру.

Устройства могут многократно циклически переключаться между состояниями с высокой и низкой излучательной способностью (2c), однако превышение электрохимического окна электролита ухудшает рабочие характеристики устройства.

Модуляция излучательной способности определялась количественно с помощью измерений отражения в инфракрасном и ближнем инфракрасном диапазонах с использованием инфракрасного Фурье-спектрометр (FTIR), оборудованного интегрирующей сферой. При 0 В коэффициент отражения внутреннего устройства почти плоский (2d) и составляет около 30%, за исключением поглощения в верхней полиэфирной пленке на длинах волн ~3.4, ~6.8, ~13.9 мкм и поглощения в атмосфере (например, CO2, H2O).


Демонстрация работы адаптивного инфракрасного текстильного устройства.

В диапазоне спектральной чувствительности тепловой камеры (8-13 мкм) такие поглощения минимизируются благодаря тщательному выбору верхней защитной пленки. Коэффициент излучения (или коэффициент поглощения) рассчитывается как 1 R, где R коэффициент отражения, поскольку свет не проходит через устройство. По мере того, как ионы интеркалируют графеновые слои, энергия Ферми и оптическая проводимость графена увеличиваются, тем самым увеличивая коэффициент отражения инфракрасного излучения.

Средняя излучательная способность устройства в диапазоне длин волн 8-13 мкм достаточно высока ( 0.7) для 0 В и поддерживается в таком значении до порогового напряжения ( 2.5 В) с последующим резким падением до 0.35 при > 4 В (), что отлично согласуется с термограммами на 2а.

Модуляция излучательной способности охватывает как длинноволновый инфракрасный (8-13 мкм), так и средневолновый инфракрасный (MWIR, 3-5 мкм) диапазон. В MWIR, тем не менее, полиэфирная пленка демонстрирует значительное поглощение из-за режима растяжения C-H связей, который не зависит от приложенного напряжения, ограничивая диапазон модуляции излучательной способности до 0.7-0.5 (2e). Из этого следует, что любые устройства, работающие в этом диапазоне длин волн, нуждаются в нестандартном защитном слое.

Другим эффектом полиэфирного слоя является повышенная излучательная способность поверхности благодаря термической экстракции полиэфиром, у которого показатель преломления больше, чем у воздуха.

Также наблюдалась модуляция излучательной способности (0.2-0.4) и в коротковолновом инфракрасном диапазоне (SWIR, 0.9-1.7 мкм). А вот модуляция в видимом спектре была незначительной из-за недостаточного легирования графена.

Улучшить модуляцию в SWIR и видимом диапазоне возможно за счет использования ионной жидкости с большим электрохимическим окном, которая будет совместима с текстилем.

Учитывая, что ткань должна быть растяжимой и гибкой, используемые графеновые элементы должны действовать соответственно. Однако многослойный графен не растягивается и не гнется ввиду механического воздействия. Потому в разработке была использована нестандартная изогнутая конструкция графена, что обеспечило уровень деформации до 60%.


Изображение 3

Решить все проблемы с гибкостью и механическим напряжением можно за счет использования массивов электродов, в не единого элемента. На показан пример такого варианта конфигурации с массивом из 25 индивидуально адресуемых электродов и датчиком термобатареи. В качестве активного слоя использовался большой цельный лист многослойного графена на хлопчатобумажной ткани (3b). Каждый электрод контролирует излучательную способность площадью 2х2 см. Внешняя электронная схема была запрограммирована реагировать на тепловую сигнатуру от датчика. Графики 3c и 3d показывают сигналы датчика и кажущуюся температуру активного пикселя (область контроля 2х2).

Мультипиксельное текстильное устройство отображает буквы C или H (обозначающие cold и hot), настраивая излучательную способность соответствующих пикселей, реагирующих на наличие/отсутствие горячего объекта над датчиком. На 3e показаны тепловые изображения работы устройства при взаимодействии с рукой человека.

Далее ученые провели фактическое практическое испытание устройства, внедренного в обычную футболку. Из-за естественной температуры тела, в условиях окружающей среды, человеческое тело излучает около 100 Вт инфракрасного света в основном в LWIR диапазоне. Этот спектральный диапазон также совпадает с окном атмосферного пропускания, которое позволяет распространять излучаемый LWIR свет на большие расстояния.

Устройство для футболки было изготовлено путем ламинирования пленки графен/полиэфир размером 6х6 см непосредственно на поверхности футболки из 100% хлопка и сеткой из нержавеющей стали на обратной стороне ().


Изображение 4

Для передачи закодированного сигнала был использован микроконтроллер, который был запрограммирован передавать буквы N, G и I азбукой Морзе. Тире и точки создавались путем подавления кажущейся температуры на длительное (9 с) и короткое (3 с) время.

На 4b и показаны инфракрасные снимки футболки в состояниях с высокой и низкой излучательной способностью, а шкала справа показывает зарегистрированную с расстояния в 3 м кажущуюся температуру.

Использование микроконтроллера позволяет строить более сложные схемы на текстиле, что, в свою очередь, обеспечивает более безопасные протоколы связи, например, инициирование связи при получении внешних запускающих стимулов. А человеческое тело в данной конфигурации может служить источником энергии.

В данном опыте скорость связи с использованием одной заплатки ограничена процессом интеркаляции/деинтеркаляции, который масштабируется в зависимости от площади устройства.


Передача букв N, G и I азбукой Морзе.

Ученые заявляют, что использование небольших электрических сигналов для модуляции инфракрасной излучательной способности является значительным преимуществом по сравнению с альтернативами, поскольку оно обеспечивает адаптивный отклик, что необходимо для применения в динамическом тепловом камуфляже и управлении тепловым режимом.


Увеличение отражающей способности полиэфирного устройства в ближнем инфракрасном диапазоне.

Разработанное устройство требует низкого напряжения (~ 3 В) и совсем немного энергии (5.5 х 10-4 мАч/см2 на одно событие интеркаляции, что соответствует плотности заряда ~ 1014 см-2 для каждого слоя графена). Следовательно, обычная дисковая батарейка на 1000 мАч может активировать устройство размером с футболку (1 м2) около 180 раз. Кроме того, энергия потребляется исключительно во время цикла зарядки (интеркаляции). А средняя мощность в режиме ожидания практически равна нулю, что позволяет значительно продлить использования одного устройства без замены внешнего источника питания. Это, конечно, если не рассматривать идею с использованием человека в качестве источника энергии.

Для более подробного ознакомления с нюансами исследования рекомендую заглянуть в доклад ученых и дополнительные материалы к нему.

Эпилог


Мода переменчива, как и погода. А вот наука, хоть иногда и кажется хаотичной, но все же следует одним и тем же естественным законам.

В данном труде ученые использовали оптические свойства графена в своей разработке графенового адаптивного оптического текстиля. Это устройство позволяет не только модулировать его температуру, но и дает возможность лучше понять термические и механические свойства графена. Успешная демонстрация модуляции оптических свойств на различных типах текстиля может дать толчок более широкому использованию волокнистых архитектур. Спектр применения подобных технологий не ограничивается элементами гардероба, она может быть крайне полезна и в технологиях связи, и даже в адаптивных скафандрах.

Сами же ученые намерены шагнуть еще дальше. В дальнейшем они планируют использовать свою разработку в спутниках на околоземной орбите. Спутники, как никто другой, испытывают экстремальные перепады температуры: в тени Земли они замерзают, а обращаясь к Солнцу очень нагреваются. Использование данной технологии в теории позволяет получить контроль над тепловым излучением, следовательно, и над температурой самого спутника. От обычной футболки к спутникам на орбите остается лишь надеяться, что амбиции ученых будут подкреплены успешными результатами их дальнейших исследований.

Благодарю за внимание, оставайтесь любопытствующими и хорошей всем рабочей недели, ребята. :)

Немного рекламы


Спасибо, что остаётесь с нами. Вам нравятся наши статьи? Хотите видеть больше интересных материалов? Поддержите нас, оформив заказ или порекомендовав знакомым, облачные VPS для разработчиков от $4.99, уникальный аналог entry-level серверов, который был придуман нами для Вас: Вся правда о VPS (KVM) E5-2697 v3 (6 Cores) 10GB DDR4 480GB SSD 1Gbps от $19 или как правильно делить сервер? (доступны варианты с RAID1 и RAID10, до 24 ядер и до 40GB DDR4).

Dell R730xd в 2 раза дешевле в дата-центре Equinix Tier IV в Амстердаме? Только у нас 2 х Intel TetraDeca-Core Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 ТВ от $199 в Нидерландах! Dell R420 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB от $99! Читайте о том Как построить инфраструктуру корп. класса c применением серверов Dell R730xd Е5-2650 v4 стоимостью 9000 евро за копейки?
Подробнее..

Энергия откуда не ждали графен и броуновское движение

07.10.2020 10:05:19 | Автор: admin


Некто когда-то сказал, что прогресс науки это результат бесконечного спора между учеными, которые регулярно пытаются опровергнуть или перепроверить теории друг друга. Безусловно, в этом есть смысл, ибо теория одного человека, какой бы идеальной она ни была на первый взгляд, остается умозаключением лишь одного человека. Следовательно, в споре рождается истина. Сегодня мы рассмотрим исследование, в котором ученые из университета Арканзаса предложили собирать энергию из Броуновского движения атомов графена. Загвоздка в том, что небезызвестный физик Ричард Фейнман уже давно говорил, что подобное невозможно. Как ученым удалось оспорить это высказывание, что для этого потребовалось, и насколько эффективен разработанный графеновый генератор энергии? Ответы на эти вопросы мы узнаем из доклада ученых. Поехали.

Основа исследования


Отдельно стоящие двумерные (2D) кристаллические мембраны демонстрируют уникальное внеплоскостное движение. В расслабленном состоянии листы отдельно стоящего графена имеют волнистую морфологию, в которой соседние области чередуются между вогнутой и выпуклой кривизной. Происхождение этой ряби нанометрового размера остается неизвестным.

Теоретические исследования утверждают, что источником этого является электрон-фононная связь, поскольку она подавляет жесткость длинноволнового изгиба и усиливает внеплоскостные флуктуации. Для состояния теплового равновесия была выведена система уравнений высоты графеновой мембраны, включая вспомогательные поля напряжений и кривизны. В рамках этой пертурбативной формулировки квантовой статистической механики круглые графеновые мембраны спонтанно изгибаются ниже критической температуры и выше критического радиуса. В этом же русле были проведены и численные исследования статической ряби в мембране, связанной с фермионами Дирака*. Они показали наличие фазового перехода от плоской к волнистой морфологии.
Фермион Дирака* фермион (частица с полуцелым спином), который не является античастицей.
Однако, как заявляют ученые, ранее не проводилось никаких исследований динамических флуктуаций с использованием гамильтониана*, включающего электроны Дирака, упругость и электрон-фононное взаимодействие.
Гамильтониан* оператор* полной энергии системы, куда входит и кинетическая, и потенциальная энергии.

Оператор* линейное отображение, действующее на волновую функцию, которая является комплекснозначной функцией, наиболее полно описывающей состояния системы.
Ранние феноменологические исследования моделировали электрон-фононное взаимодействие путем связывания точечных частиц в узлах гексагональной решетки со спинами Изинга*, которые претерпевают глауберовскую динамику*.
Модель Изинга*: каждая из вершин кристаллической решетки обозначается числом (спином), равным либо +1, либо -1. У спина имеется 2N (N число атомов решетки) возможных вариантов расположения, каждому из которых приписывается энергия, получаемая из попарного взаимодействия спинов соседних атомов.
Глауберовская динамика* метод моделирования модели Изинга на компьютере. Является разновидностью алгоритма Монте-Карло с марковскими цепями.
Спины обмениваются энергией с тепловым резервуаром*, их динамика демонстрирует рябь, а их взаимодействие с мембраной приводит всю систему в состояние равновесия.
Тепловой резервуар* термодинамическая система с достаточно большой теплоемкостью, позволяющей сохранять свою температуру на стабильном уровне даже при контакте с другими системами и/или окружающей средой.
Относительно недавнее исследование (Anomalous Dynamical Behavior of Freestanding Graphene Membranes) позволило измерить движение атомов вне плоскости в отдельно стоящем графене с помощью сканирующей туннельной микроскопии (СТМ). Результаты этих измерений показали, что отдельные атомы в мембране испытывают броуновское движение* со спорадическими (редкими / одиночными) большими скачками.
Броуновское движение* беспорядочное движение микроскопических видимых взвешенных в жидкости или газе частиц твердого вещества, вызываемое тепловым движением частиц жидкости или газа.
Редкие скачки высоты атомов графена соответствуют когерентным инверсиям кривизны ряби, на которой сидят атомы. Это согласуется как с молекулярной динамикой, так и с глауберовской динамикой спиновых мембран.

Для рассматриваемого нами сегодня исследования графен был выращен на Ni и перенесен на сверхтонкую медную сетку с решеткой из квадратных отверстий (ширина 7.5 мкм) и стержневых опор (ширина 5 мкм). РЭМ (растровая электронная микроскопия) исследование подтвердило, что 90% сетки было успешно покрыто графеном.

В работе использовался сканирующий туннельный микроскоп в условиях сверхвысокого вакуума (базовое давление 10-10 мбар) при комнатной температуре. Графеновая пленка была прикреплена к пластине для образцов на специальных стойках, позволяя наконечнику СТМ проходить через отверстия сетки. Также использовалась система шумоподавления и виброизоляции. Питание системы осуществлялось посредством аккумуляторной батареи с изолированным заземлением для достижения исключительно низкого механического и электрического шума.


Изображение 1

Точка контакта СТМ-иглы (зонда) и образца была включена в электрическую цепь (). Образец был изолирован от земли и подключен к двум диодам. Точка контакта в цепи выполняет роль переменного конденсатора. Туннельный ток, ток диода 1 (D1C) и ток диода 2 (D2C) контролировались одновременно. Такая диодная схема используется для сбора энергии, но в данном случае она использовалась, чтобы изолировать индуцированный графеном ток от тока батареи. При расстоянии между зондом и образцом менее 2 нм туннельные электроны преобладают в токе, а в случае больших расстояний преобладает ток смещения.

На 1b показан волнистый графен и изменения формы, вызванные напряжением. Когда напряжение смещения увеличивается, графен растягивается, и СТМ-игла перемещается вместе с графеном. На показано типичное измерение высоты мембраны во времени в точечном режиме с постоянным током. Важно отметить, что в ходе данного эксперимента игла микроскопа передвигалась исключительно вертикально.

График 1d показывает туннельный ток в зависимости от времени как для неподвижного графена (т.е. графена на меди), так и для отдельно стоящего графена. Для отдельно стоящего образца средний ток такой же, как у неподвижного образца, но колебания в 100 раз больше (10 пА против 0.1 пА). Важно и то, что результаты, показанные на 1d, не зависит от приложенного напряжения смещения (до 3 В) и настройки усиления обратной связи.

По мере увеличения уставки* тока (SPC от setpoint current) стандартное отклонение также увеличивается (1e), что может быть связано с нагревом образца.
Уставка* желаемое или целевое значение важной переменной или процесса в системе.
При экстраполяции к нулевому туннельному току флуктуации по-прежнему вносят вклад в ток смещения в размере 20 пА.

Чтобы измерить ток смещения при нулевом туннельном токе, иглу СТМ постепенно отклоняли от образца, пока расстояние не стало слишком большим для туннелирования электронов через вакуумный барьер. В этом положении SPC находится на уровне 50 нА, тем самым используя цепь обратной связи, чтобы игла СТМ оставалась неподвижной.

После этого было приложено напряжение смещения постоянного тока и отслеживание D2C во времени ().


Изображение 2

При одном вольте ток не индуцируется, но при 15 В и 45 В систематически наблюдались резкие и зависящие от времени пики D2C.

На 2b показаны вольт-амперные характеристики (ВАХ) диода при низком значении тока. Далее были проведены расчеты мощности, рассеиваемой в диоде 2 (2c), которая достигает 40 пВт.

На 2d собраны данные по средней мощности для большого количества отдельно стоящих и неподвижных образцов. Отсутствие тока для неподвижного образца подтверждает, что загрязнение и эмиссия электронного поля не являются источниками D2C.

Эти данные предполагают, что электрическая работа* совершается на D2 движением графена, даже если он поддерживается при одной температуре (т.е. при комнатной температуре).
Электрическая работа* работа, совершаемая над заряженной частицей электрическим полем.
Ученые уверены, что работа может выполняться, находясь в термодинамическом равновесии, и более глубокое понимание этого прольет свет на потенциальные методы получения неравновесной энергии. Для этого была создана модель ().


Изображение 3

Атом углерода, ближайший к игле СТМ, находится над волнистостью, которая колеблется между выпуклой и вогнутой кривизной. Данная ситуация моделируется как броуновская частица в двухъямном потенциале, контактирующая с тепловым резервуаром при температуре T.

Игла СТМ и образец действуют как конденсатор переменной емкости C(x) = C0 / (1 + x/d), где d + x(t) мгновенное расстояние между иглой СТМ и образцом, x(t) (x d) вертикальное положение атома углерода, измеренное по отношению к плоской конфигурации графеновой мембраны.

Если мгновенный заряд и падение напряжения конденсатора игла-образец равны q(t) и u(t), то электростатическая сила, действующая на частицу будет равна qu / [2(d + x)] = q2 / (2C0d).

Формула заряда q(t) следует из правил Кирхгофа (соотношение между токами и напряжениями на участках электрической цепи). Следовательно, связанные системы частиц и цепи удовлетворяют уравнениям Ланжевена-Ито (описывает броуновское движение):



где U(x) = x4 2x2 это двухъямный потенциал;
C0V2/2d это постоянное напряжение из-за растяжения графена;
R = R + RE это полное сопротивление;
1/RE = 2I0/uD sinh uD/Te это эквивалентное сопротивление диодов;
uD падение напряжения на диодах, Te = T/e;
/q(T/R) это коррекция дрейфа, вызванного шумом;
v и q это независимый и одинаково распределенный белый шум с дельта-корреляциями i(t)j(t) = ij(t t) i,j = v, p.

Уравнение цепи имеет шум Найквиста (тепловой шум*) при температуре T, которая установлена на том же уровне, что и пульсация графена.
Тепловой шум* равновесный шум, вызванный тепловым движением носителей заряда в проводнике, в результате чего на концах проводника возникает флуктуирующая разность потенциалов.
Член /q(T/R) гарантирует детальное равновесие* и факт того, что вся система достигает теплового равновесия при температуре T.
Принцип детального равновесия* заключается в равенстве вероятностей прямого (n m) и обратного (m n) переходов между дискретными состояниями системы m и n.
Чтобы убедиться в правдивости данного утверждения, необходимо было сформулировать уравнение для плотности вероятности электронов со скоростями переходов, подчиняющимися детальному равновесию. Вероятность перехода была представлена как T(iD1 + iD2)/(e2uD) = T/(e2R), что согласуется с правилом Кирхгофа для токов.

Гамильтониан системы () был равен:



А равновесная плотность вероятности равна e-H/T/Z, где Z константа нормализации.

С точки зрения графеновой ряби, представленной частицей в формуле 1 цепь представляет собой внешнюю систему, которая воздействует на рябь. В таком случае тепло, создаваемое силами трения и шума, будет равно:


где q = q(t) внешний параметр, а dQ > 0, если частица поглощает тепло.

Используя равновесную плотность вероятности для вычисления среднего и интегрирования по частям, средняя мощность, поглощаемая частицей, оказывается равной нулю. Падение напряжения такое же, как падение на эквивалентном резисторе R. Усредненная по времени мощность, рассеиваемая на резисторе, равна усредненной по времени мощности, поставляемой тепловым резервуаром.

Таким образом, с точки зрения резистора, движение графеновой ряби создает постоянный источник средней тепловой мощности (3b).

Данные выводы были подтверждены посредством численного моделирования уравнения 1, в котором использовались T = 0.5; = 1; d = 10; I0 = 0.0002 и Te = 0.1. Чтобы учесть изменение формы графена, было включено падение C0 с 5 до 1 при увеличении V от 1 до 10. Положение частицы x и заряд на конденсаторе q колеблются со временем ( и 3d).

Отдельно были определены два члена средней мощности для полупериода q > 0, в котором ток через диод 2 проходит против часовой стрелки. Даже в полупериоде два члена равны. На показана средняя мощность (генерируемая и рассеиваемая) и прогноз Найквиста.


Демонстрация принципа работы разработанной цепи.

Было обнаружено, что мощность увеличивается с увеличением напряжения смещения, что наблюдалось и в ходе экспериментов. Данные по сопротивлению и мощности из экспериментов (изображение 2) позволили оценить электрическую емкость точки контакта иглы микроскопа и графена, которая равна 1 фФ (фемтофарад).

Ученые отмечают, что точная формула тепловой мощности отличается от варианта Найквиста: мощность включает в себя вклады от броуновского движения ряби графена, а не только от электронов. В результате двухъямный потенциал вводит новую шкалу времени скорость пересечения барьера. Это приводит к возникновению колебаний очень низкой частоты. Для иллюстрации этого на 3f показана средняя спектральная плотность мощности, рассеиваемая в резисторе, построенная с использованием двух разных времен релаксации скорости 1 и 10. Общая рассеиваемая мощность такая же, а уменьшение скорости пересечения барьера перераспределяет мощность на более низкие частоты.

Для более детального рассмотрения результатов исследования рекомендую заглянуть в доклад ученых.

Эпилог


В данном труде ученые провели исследование термического воздействия в отдельно стоящих графеновых мембранах с помощью точечной сканирующей туннельной микроскопии. Пульсация графена, наблюдаемая рядом с иглой микроскопа, была смоделирована как броуновская частица в двухъямном потенциале. Когда графен движется, заряд должен проходить по цепи и выполнять электрические работы.

Данная модель показывает, что непрерывная тепловая энергия может генерироваться броуновской частицей при одной температуре, находясь в термодинамическом равновесии, при условии, что такое же количество энергии постоянно рассеивается в резисторе. В таком случае подключение к цепи позволяет выполнять электрические работы на нагрузочном резисторе без нарушения второго закона термодинамики.

В условиях созданной системы графен и электрическая цепь поддерживают работу друг друга. Несмотря на то, что тепловая среда выполняет работу с нагрузочным резистором, температура графена и цепи остается одинаковой, а тепло между ними не протекает. Таким образом нет противоречий по отношению к второму закону термодинамики.

Важно и то, что относительно медленное движение графена индуцирует ток в цепи на низких частотах. Эта находка может стать очень полезной в будущем, поскольку электроника работает более эффективно именно на низких частотах.

В будущем ученые намерены продолжить свое исследование. Они хотят выяснить, можно ли хранить постоянный ток в конденсаторе для последующего использования. Для реализации этой задумки необходимо провести миниатюризацию схемы и нанесение ее на кремниевую пластину или микросхему. По словам ученых, если успешно построить кластер из миллиона таких схем размером 1х1 мм, то он смог бы заменить маломощные батарейки.

Возможно, подобные планы звучат не особо грандиозно, но любые исследования, любые свершения, изменившие мир, начинались с малого. Для достижения конечного результата нужно лишь упорство, время и терпение.

Благодарю за внимание, оставайтесь любопытствующими и хорошей всем рабочей недели, ребята. :)

Немного рекламы


Спасибо, что остаётесь с нами. Вам нравятся наши статьи? Хотите видеть больше интересных материалов? Поддержите нас, оформив заказ или порекомендовав знакомым, облачные VPS для разработчиков от $4.99, уникальный аналог entry-level серверов, который был придуман нами для Вас: Вся правда о VPS (KVM) E5-2697 v3 (6 Cores) 10GB DDR4 480GB SSD 1Gbps от $19 или как правильно делить сервер? (доступны варианты с RAID1 и RAID10, до 24 ядер и до 40GB DDR4).

Dell R730xd в 2 раза дешевле в дата-центре Equinix Tier IV в Амстердаме? Только у нас 2 х Intel TetraDeca-Core Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 ТВ от $199 в Нидерландах! Dell R420 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB от $99! Читайте о том Как построить инфраструктуру корп. класса c применением серверов Dell R730xd Е5-2650 v4 стоимостью 9000 евро за копейки?
Подробнее..

Перевод Массачусетский технологический институт создал волшебный материал для изготовления электронных устройств

12.05.2021 18:04:50 | Автор: admin
Визуальная презентация структуры одного из новых наноустройств. Два разных слоя графена изображены в виде синих металлических групп атомов в форме шестиугольников. Золотым цветом изображены электроды, голубым электроны.Визуальная презентация структуры одного из новых наноустройств. Два разных слоя графена изображены в виде синих металлических групп атомов в форме шестиугольников. Золотым цветом изображены электроды, голубым электроны.

Ученые из Массачусетского технологического института совершили открытие, достойное романов Джоан Роулинг. Они превратили материал, состоящий из сверхтонкого слоя углерода, в три функционирующих электронных устройства. Обычно подобные устройства создаются с применением большего количества материалов, которые требуют дополнительной многоэтапной подготовки. Изобретение специалистов из МТИ решает эту проблему.

Результат работы ученых из Массачусетса может стать основой для создания нового поколения квантовых электронных устройств, способных проводить электричество без сопротивления. Результаты исследования были опубликованы 3 мая в журнале Nature Technology.

В своем исследовании мы продемонстрировали работу графена толщиной в два атомных слоя, повернутых друг к другу под углом в 1.1. Графен оказался наиболее универсальным среди всех сверхпроводящих материалов. Благодаря ему нам удалось на базе одной платформы создать сразу несколько электронных устройств. Это позволило нам подробнее изучить свойства сверхпроводимости, которые можно обнаружить только в двух измерениях, сообщает Пабло Джарилло-Херреро, профессор физики Массачусетского технологического института.

Под особым углом

Новый волшебный материал создан на основе графена. Графен состоит из одного слоя атомов углерода, по виду напоминающего структуру пчелиных сот.

Графен обнаружили всего около 17 лет назад. Материал обладает массой интересных свойств! К примеру, он прозрачный, гибкий и более прочный, чем алмаз. А еще он проводит тепло и электричество лучше большинства других материалов.

В 2018 году команда Джарилло-Херреро сделала невероятное открытие, расположив два слоя графена друг над другом и слегка изменив угол (тот самый волшебный 1.1) одного из них. Полученная система позволила превращать графен как в сверхпроводник, так и в изолятор. Состояние материала зависит от количества электронов в электрическом поле, воздействующем на графен. Фактически ученые получили возможность настраивать графен, кардинально меняя его состояние с помощью увеличения или уменьшения подаваемого напряжения. Полученный материал с длинным названием magic-angle twisted bilayer graphene (MATBG) заинтересовал научное сообщество всего мира.

В 2018 году ученые меняли напряжение, подаваемое на графен, с помощью одного электрода. По словам Дэниела Родана-Легрэйна, аспиранта МТИ, участвовавшего в исследовании, они установили несколько электродов в разных участках материала, чтобы сгенерировать различные электрические поля.

Команда ученых обнаружила, что может настраивать различные участки графена и менять степень их проводимости от нулевой до максимальной. Затем, задействовав несколько электродов, физики смогли воспроизвести из графена компоненты электронной платы, для создания которой обычно используются иные материалы.

Оно работает

Физики превратили свою находку в три рабочих квантовых электронных устройства.

Первое сверхпроводящий переключатель. Это набор строительных блоков, из которых состоят квантовые биты, а они, в свою очередь, лежат в основе квантовых компьютеров. У них есть и другие применения, например, их используют в качестве сверхточных устройств для измерения характеристик магнитного поля. Второе туннельный спектроскоп, который поможет лучше изучить сверхпроводимость. А третье одноэлектронный транзистор, то есть очень чувствительный прибор для управления электрическими потоками с точностью до одного электрона.

Все три устройства хороши в первую очередь тем, что сделаны из одного легко адаптируемого под нужды ученых материала. Когда что-то подобное создается более традиционным путем, возникает масса сложностей. Использование различных материалов при создании одного устройства может привести к несовместимости компонентов. Родан-Легрэйн отмечает, что благодаря графену проблема несовместимости уходит в прошлое.

MATBG позволяет легко менять конфигурацию устройства, подавая различное напряжение на разные участки материала. Не нужно создавать разные компоненты и собирать из них необходимый прибор, сообщает Уильям Оливер, доцент кафедры электротехники и информатики МТИ.

Что дальше?

Работа, опубликованная в журнале Nature Technology, открывает новые возможности для ученых. Например, из графена можно сделать настраиваемый кубит, который в дальнейшем можно будет использовать при разработке квантовых компьютеров.

Также специалисты надеются, что свойства MATBG помогут лучше изучить физику сверхпроводимости и в будущем разработать сверхпроводник, который сможет функционировать при более высоких температурах внешней среды, нежели нынешние.

Мы очень надеемся, что наше открытие станет своего рода Розеттским камнем и поможет лучше изучить родственников сверхпроводников, способных переносить более высокие температуры, сообщает Родан-Легрэйн.

Подробнее..

Исследователями Samsung открыт новый материал для производства полупроводников

18.08.2020 18:15:11 | Автор: admin
Ученые из Высшего технологического института Samsung (Samsung Advanced Institute of Technology, SAIT) в сотрудничестве с Национальным институтом науки и технологии Ульсана (UNIST) и Кембриджским университетом рассказали об открытии нового материала под названием аморфный нитрид бора (a-BN). Исследование, опубликованное в авторитетном научном журнале Nature, способно ускорить появление полупроводников следующего поколения.

Внутри кратко о сути открытия с комментариями от руководителя SAIT Россия, к.ф-м.н Станислава Полонского.


2D материалы ключ к преодолению проблем масштабируемости


SAIT занимается исследованием и разработкой двумерных (2D) материалов кристаллических веществ, состоящих из одного слоя атомов. В частности, специалисты института работали над изучением и разработкой графена и добились революционных результатов в этой области создали новый графеновый транзистор, а также новый метод производства монокристаллических пластин большой площади из чешуйчатого графена. Помимо этого, ученые SAIT заняты ускорением коммерциализации материала.

Чтобы улучшить совместимость графена с полупроводниковыми процессами на основе кремния, выращивание пленок графена на полупроводниковых подложках должно осуществляться при температуре ниже 400 C, рассказал Хён Чжин Шин, руководитель проекта по разработке графена и главный исследователь SAIT. Мы также постоянно работаем над расширением сферы применения графена, не ограничиваясь полупроводниками.

Трансформированный 2D материал аморфный нитрид бора


Недавно открытый материал под названием аморфный нитрид бора (a-BN) состоит из атомов бора и азота с аморфной структурой молекулы. Несмотря на то, что аморфный нитрид бора получают из белого графена, который включает атомы бора и азота, расположенные в гексагональной структуре, благодаря своей молекулярной структуре новый материал обладает уникальными отличиями от белого графена.

Аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе сверхнизкую диэлектрическую проницаемость 1,78 с сильными электрическими и механическими свойствами и может использоваться в качестве межсоединительного изоляционного материала для сокращения электрических помех. Также было продемонстрировано, что материал в чешуйчатой форме можно выращивать при низкой температуре, всего 400C. В связи с этим ожидается, что аморфный нитрид бора будет широко применяться в полупроводниках, таких как решения DRAM и NAND, и, особенно, в памяти следующего поколения для крупномасштабных серверов.

Станислав Полонский, начальник управления перспективных исследований и разработок Исследовательского центра Samsung:

Скорость современных полупроводниковых интегральных схем определяется не только скоростью переключения транзисторов, но и скоростью распространения электрических сигналов от одного транзистора до другого. С точки зрения посылающего сигнал транзистора, передающий сигнал другому транзистору провод представляет собой конденсатор, который нужно зарядить. Чем меньше емкость такого конденсатора, тем быстрее он заряжается, тем быстрее передается сигнал. Емкость конденсатора уменьшается вместе с диэлектрической проницаемостью изолятора, окружающего металлический провод. Полученные корейскими учеными рекордно низкие значения этого параметра приведут к рекордным высокой скорости передачи сигналов на микросхеме, увеличивая ее производительность. Все просто!

Кратко о достижениях SAIT последних лет:
2012: графеновый барристор, триодное устройство с барьером Шоттки, управляемым затвором (SAIT, опубликовано в Science)
2014: чешуйчатый рост пластины монокристаллического монослоя графена на многоразовом водородно-терминированном германии (SAIT и Университет Сонгюнгван, опубликовано в Science)
2017: Реализация непрерывного монослоя углерода Захариасен (SAIT и Университет Сонгюнгван, опубликовано в журнале Science Advances)
2020: сверхнизкая диэлектрическая проницаемость аморфного нитрида бора (SAIT, UNIST и Кембриджский университет, опубликовано в журнале Nature)


Источник новости.
Подробнее..

Категории

Последние комментарии

  • Имя: Макс
    24.08.2022 | 11:28
    Я разраб в IT компании, работаю на арбитражную команду. Мы работаем с приламы и сайтами, при работе замечаются постоянные баны и лаги. Пацаны посоветовали сервис по анализу исходного кода,https://app Подробнее..
  • Имя: 9055410337
    20.08.2022 | 17:41
    поможем пишите в телеграм Подробнее..
  • Имя: sabbat
    17.08.2022 | 20:42
    Охренеть.. это просто шикарная статья, феноменально круто. Большое спасибо за разбор! Надеюсь как-нибудь с тобой связаться для обсуждений чего-либо) Подробнее..
  • Имя: Мария
    09.08.2022 | 14:44
    Добрый день. Если обладаете такой информацией, то подскажите, пожалуйста, где можно найти много-много материала по Yggdrasil и его уязвимостях для написания диплома? Благодарю. Подробнее..
© 2006-2024, personeltest.ru